性能指標(biāo)

加速電壓：200 kV；電子槍：LaB6（六硼化鑭）；TEM點(diǎn)分辨率：0.19 nm；TEM線分辨率：0.14 nm；真空度：優(yōu)于2×10-5 Pa；放大倍數(shù)（高倍）： 2000x~1.5 Mx；Gatan CMOS相機(jī)；牛津Xplore系列EDS探測(cè)器。

主要應(yīng)用

可實(shí)現(xiàn)納米材料透射像（明場(chǎng)、暗場(chǎng)和高分辨像）觀察；選區(qū)電子衍射結(jié)構(gòu)分析和納米區(qū)域的成份分析；固體材料和納米材料的內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)觀察與分析；配合能譜儀可以對(duì)樣品元素進(jìn)行定性分析。

樣品要求

透射電鏡不做磁性樣品，不含F(xiàn)e、Co、Ni、Mn及Gd、Tb、Dy、Ho、Er等稀土元素；對(duì)于粉末樣品，要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥，能夠區(qū)分支持膜正反面；對(duì)于塊體樣品，要求樣品大小為直徑3 mm的圓，厚度為200 nm以下；高分辨樣品厚度在10 nm以下。

儀器說明

該儀器廣泛應(yīng)用于化學(xué)、材料、食品、生物、物理、醫(yī)學(xué)等學(xué)科的分析研究。